2025年功率半导体上市公司十大事情聚集第三代半导体规划化、车规技能打破、产业链整合、AI与高压架构使用四大中心主线。以下为按时间轴排序的年度中心事情：

  1月，三安光电砷化镓红黄光项目正式通线投产，成功从蓝绿光单一供货商晋级为红、黄、蓝、绿全谱系砷化镓器材供货商，添补国内高端显现范畴中心器材供应缺口。同期，公司继续加码氮化镓产能建造，优化从衬备到器材封装的笔直整合产业链，要点提高面向快充、数据中心电源的氮化镓器材出货才能。

  影响：助力Mini/Micro LED等新式显现技能商业化提速，氮化镓产能开释进一步强化公司在第三代半导体资料范畴的头部位置。

  3月17日，比亚迪在超级e途径技能发布会上，推出全球首款可批量装车的1500V高耐压大功率SiC芯片，专为全域千伏高压架构规划，调配双面银烧结封装技能，完结5nH低杂散电感与200℃高温工作上的才能，动态损耗较传统器材大幅度下降。该芯片同步配套超级e途径完结量产，支撑“闪充5分钟，畅行400公里”的快充体会。

  影响：打破高压电驱体系中心瓶颈，推进1000V高压途径遍及，稳固比亚迪在车规SiC范畴的技能与量产优势。

  4月3日，专心于定制化MOSFET、IGBT器材的尚鼎芯科技正式递送港交所招股书，中心产品掩盖工业操控、消费电子、新能源储能等详尽区分范畴，凭仗柔性化规划才能绑定多家职业头部客户。本次IPO拟募资用于研制中心建造及产能扩展，要点打破车规级定制化器材技能。

  影响：拓宽无晶圆厂功率规划企业融资途径，凸显定制化功率器材在细分商场的增加潜力。

  6月，英诺赛科宣告其8英寸氮化镓（GaN）晶圆产线完结二期扩建，月产能从1.3万片提高至2万片，成为全世界规划最大8英寸GaN量产基地之一。同期推出第三代700V GaN器材，芯片面积大幅减缩，并完结100V双向器材及合封GaN IC量产，与意法半导体、联合轿车电子达到深度协作，拓宽新能源轿车车载电源场景。

  影响：加快8英寸GaN产业化进程，推进功率器材向高集成、低损耗方向晋级，掩盖高端电源中心需求。

  9月30日，荷兰政府以“经济安全”为由冻住安世半导体全球30个主体财物，引发闻泰科技对安世操控权争议。10月，闻泰科技正式向荷兰提交争议告诉，清晰若6个月内问题未处理将发动世界裁定，索赔金额或达80亿美元；12月发表安世我国自10月康复出货以来累计出货超110亿片芯片。

  影响：凸显跨境功率半导体财物的供应链危险，推进国内功率企业强化本乡产能布局。

  10月，斯达半导收到上交所批复，核准其发行不超越15亿元可转债，募投项目包含车级SiC MOSFET模块、IPM模块及GaN模块产业化，估计新增SiC模块产能280万个/年、GaN模块产能100万个/年。到10月末，公司车规SiC模块在手订单超16亿元，产销率达103%。

  影响：强化车规功率模块量产才能，符合新能源轿车对高效功率器材的爆发式需求。

  11月起，受AI服务器电源、新能源轿车及储能需求拉动，斯达半导、英诺赛科等头部企业连续发动5%-15%的产品提价，提价周期掩盖2025Q4至2026Q1。第三方多个方面数据显现，Q4全球功率半导体商场规划环比增加8%，车规与AI相关高端器材供需缺口扩展。

  影响：改进职业全体盈余水平，加快中小产能出清，推进企业向高的附加价值产品转型。

  8.株洲中车8英寸SiC晶圆线日，株洲中车中低压功率器材产业化项目正式举办通线典礼，标志着国内又一条8英寸碳化硅（SiC）功率器材晶圆线进入量产阶段。该项目总投资53亿元，仅用11个月便完结从施工到通线英寸等效SiC功率器材产能，要点打破精密光刻、沟槽刻蚀等五大中心工艺，可满意第四代、第五代SiC产品量产需求。同期，公司第四代沟槽栅SiC MOSFET已完结定型，车规级SiC模块完结小批量交给。

  12月5日，封测龙头华天科技公告拟全资收买功率半导体企业华羿微电，后者主营新能源轿车、光伏储能用功率器材，具有老练的芯片规划与制作才能。收买完结后，华天科技将完结“封测+功率芯片制作”全链条布局，下降外部芯片收买本钱并提高客户呼应功率。

  12月29日，紫光国微发表停牌公告，谋划以发行股份及支付现金方法收买瑞能半导控股权。瑞能半导主营晶闸管、SiC二极管，具有6英寸车规晶圆产能，且经过增资中电化合物布局SiC外延资料。买卖完结后，紫光国微将补齐功率半导体短板，与现有智能安全芯片事务构成协同。